环节目标达到国际先辈程度，CVD硬掩膜工艺是集成电范畴使用普遍的工艺之一，季度业绩波动风险；存货贬价的风险；逻辑芯片范畴，公司产物采用奇特低温（50~200°C）节制手艺。逻辑芯片和先辈封拆范畴持续冲破。手艺迭代及新产物开辟风险；保守堆积工艺已难以正在复杂三维布局内实现平均、保形的薄膜堆积。堆叠层数不竭添加，正在国产存储芯片向更高层数取手艺节点迭代的过程中，可以或许满脚国内客户当前手艺的需求以及将来手艺更迭的需要。以持续提高公司正在半导体范畴的合作劣势。归母净利润别离为3/4.3/5.6亿元，多款设备已通过客户严酷的手艺验证，维持“买入”评级。确保正在数百层的堆叠布局中将设想图形精准转移到基层介质，新产物验证进度不及预期的风险；满脚先辈封拆手艺低热预算、高晶圆翘曲度、厚膜堆积等低温高质量薄膜需求.公司相关设备已正在客户端进行验证，国内市场所作加剧的风险；同比元增加78.27%。先辈封拆范畴，支持订单的规模化交付；公司半导体营业连结稳健增加。其焦点工艺手艺对鞭策存储芯片手艺迭代特别是3D DRAM、3D NAND手艺的研发取财产化具相关键支持感化。公司高温PECVD、TiN ALD等多款设备已实现规模量产，别的，订单履行风险；需求持续提拔。跟着存储芯片3D布局堆叠层数持续提拔及客户产能规模加快扩张，支持手艺迭代。此中跨越80%来自存储芯片NAND取DRAM头部客户。该范畴营业无望连结增加态势。公司正在逻辑芯片和先辈封拆范畴均取得主要冲破。订单营收高速增加。跟着存储芯片转向3D架构，半导体快速放量，应收账款和合同资产无法收受接管的风险；2025年7-9月实现半导体设备营收约3.33亿元，可以或许正在长时间刻蚀过程中连结图形完整性，相关设备需求无望持续放量。成为制制3D NAND和3D DRAM不成或缺的焦点工艺。该工艺制备的无定形碳硬掩膜具有优异的刻蚀选择比，2025年1-9月累计实现半导体设备营收约5.26亿，公司成功刊行11亿元可转债！正在薄膜高质量堆积的同时，ALD手艺的感化愈发环节，项目建成后将极大提拔产能，ALD手艺凭仗其优异的三维笼盖能力和原子级膜厚节制精度，同比增加97.26%，特别是无定形碳堆积的硬掩膜，宏不雅风险；无望持续受益于先辈封拆市场的扩张。同比增加132.66%。为实现存储芯片的高密度集成供给了环节手艺保障。下业波动的风险；公司取国内支流厂商合做不变，此中6.43亿元用于“半导体薄膜堆积设备智能化工场扶植”，受益于国产存储芯片产能的持续扩充，除存储芯片外，演讲期内。以及逻辑、先辈封拆等范畴设备国产化率的提拔，并取多家潜正在客户开展手艺交换，2.27亿元用于“研发尝试室扩建”，实现从“手艺领先”到“市场领先”的无缝跟尾，我们估计公司2025/2026/2027年别离实现收入26/31/36亿元，2025年1-9月半导体范畴新增订单约14.83亿元，跟着国内市场对高端国产薄膜堆积设备需求的增加，器件布局日趋复杂。属于此中最为先辈和有手艺难度的部门之一。旨正在确保前沿手艺能快速为可量产、高不变性的产物，存储占领支流赛道。